Первая в мире 30 нм память DDR3 DRAM от Samsung позволит снизить энергопотребление
Об очередном достижении на ниве разработки памяти DRAM объявила компания Samsung Electronics. Южнокорейскому производителю удалось создать первые в мире чипы памяти DDR3 DRAM, изготовленные по нормам 30 нм техпроцесса. При этом плотность новой памяти составляет 2 Гбит. По данным Samsung Electronics, применение 30 нм технологии позволяет увеличить показатель продуктивности памяти DDR3 на 60 процентов по … Read more Первая в мире 30 нм память DDR3 DRAM от Samsung позволит снизить энергопотребление